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Vishay推出新型EMIPAK 1B封裝二極管和MOSFET功率模塊，為車載充電應(yīng)用提供完整解決方
2022-11-24  來源：-  作者：-


        靈活的器件采用PressFit引腳壓合技術(shù)，在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置

       賓夕法尼亞、MALVERN — 2022年11月24日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，針對(duì)車載充電應(yīng)用專門推出七款新型二極管和MOSFET功率模塊。含有各種電路配置的集成解決方案采用PressFit引腳壓合專利技術(shù)，將高效快速體二極管MOSFET和SiC、FRED Pt®和MOAT二極管技術(shù)結(jié)合在小型EMIPAK 1B封裝中。
 
 

       日前發(fā)布的Vishay Semiconductors器件具有車載充電應(yīng)用AC/DC、DC/DC和DC/AC轉(zhuǎn)換所需的各種電路配置，包括輸入/輸出橋、全橋逆變器和功率因數(shù)校正（PFC），適用于各種額定功率。模塊符合AQG-324汽車標(biāo)準(zhǔn)，可為電動(dòng)（EV）和混合動(dòng)力（HEV）汽車以及電動(dòng)自行車、農(nóng)業(yè)機(jī)械、鐵路車輛等提供完整解決方案。

       器件EMIPAK封裝采用矩陣式方法，在同樣的63 mm x 34 mm x 12 mm小型封裝中內(nèi)置各種定制電路配置。與分立式解決方案相比，有助于提高功率密度，同時(shí)可在工業(yè)和可再生能源應(yīng)用不同功率級(jí)靈活使用每種模塊，適用于焊接、等離子切割、UPS、太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電機(jī)等。

       器件的AI2O3直接敷銅（DBC）襯底改進(jìn)了熱性能，經(jīng)過優(yōu)化的布局有助于減小雜散電感，提高EMI性能。模塊PressFit引腳壓合技術(shù)便于PCB安裝并減少襯底機(jī)械應(yīng)力，而無底座結(jié)構(gòu)減少了需要焊接的接口提高可靠性。

          器件配置表：
  
         
  
       Vishay 提供全系列硅技術(shù)功率模塊，包括Si和SiC二極管、 晶閘管、IGBT和 MOSFET， 以及電容器、分流器、NTC和PTC熱敏電阻等被動(dòng)元件。器件可用來配置各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括標(biāo)準(zhǔn)焊接引腳和PressFit端子，適用于廣泛功率范圍。功率模塊符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，可加以定制滿足特定應(yīng)用要求，具有高度靈活性和成本效益，有助于設(shè)計(jì)人員加快產(chǎn)品上市速度并提高整體系統(tǒng)性能。

      新型功率模塊現(xiàn)可提供樣品。量產(chǎn)供貨周期為26周。



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